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    880nm系列半导体激光器

    880nm系列半导体激光器是一款工作在近红外波段的高效能激光设备,具有优秀的稳定性、高转换效率和广泛的应用领域。它广泛应用于医疗、工业加工、科研以及通信等多个领域。

    • 8W~120W
      功率可选范围
    • 878.6nm
      中心波长
    • 0.5nm
      半波全宽
    资料下载
    vs
    加入对比
    • 880-8W
    • 880-30W
    • 880-65W
    • 880-120W
    • 产品优势

    • 产品应用

    • 产品参数

    • 相关产品

    产品优势

    • 高转换效率

      采用先进的半导体制造工艺,实现良好的电-光转换效率,降低功耗同时提供高输出功率

    • 优异的波长特性

      880nm波长具有较好的组织穿透能力,适用于各种医疗和美容应用

    • 强大输出功率

      输出功率从几瓦到几十瓦,可根据不同应用需求进行选择

    产品应用

    • 固体激光器泵源
    • 固体激光器泵源
    • 固体激光器泵源

    产品参数

    系列型号
    • 880-8W
      vs
    • 880-30W
      vs
    • 880-65W
      vs
    • 880-120W
      vs
    • 输出功率(W)
    • 中心波长(nm)
    • 半波全宽(nm)
    • 95%出光NA(NA)
    • 防返波段(nm)
    • 电光转换效率(%)
    • 阈值电流(A)
    • 工作电流(A)
    • 工作电压(V)
    • 纤芯直径(μm)
    • 包层直径(μm)
    • 工作温度(°C)
    • 存储温度(°C)
    • 温漂系数(nm/°C)
    • 尺寸 (L×W×H)(mm)
    • 重量(g)
    • 880-8W

      • 输出功率(W)
        8
      • 中心波长(nm)
        878.6
      • 半波全宽(nm)
        0.5
      • 95%出光NA(NA)
        0.2
      • 防返波段(nm)
        1040~1200
      • 电光转换效率(%)
        50
      • 阈值电流(A)
        1.8
      • 工作电流(A)
        12
      • 工作电压(V)
        1.8
      • 纤芯直径(μm)
        400
      • 包层直径(μm)
        440
      • 工作温度(°C)
        15~40
      • 存储温度(°C)
        -20~85
      • 温漂系数(nm/°C)
        0.03
      • 尺寸 (L×W×H)(mm)
        62.5×29×10.02
      • 重量(g)
        ≈40
    • 880-30W

      • 输出功率(W)
        30
      • 中心波长(nm)
        878.6
      • 半波全宽(nm)
        0.5
      • 95%出光NA(NA)
        0.2
      • 防返波段(nm)
        1040~1200
      • 电光转换效率(%)
        50
      • 阈值电流(A)
        1.8
      • 工作电流(A)
        12
      • 工作电压(V)
        6.8
      • 纤芯直径(μm)
        400
      • 包层直径(μm)
        440
      • 工作温度(°C)
        15~40
      • 存储温度(°C)
        -20~85
      • 温漂系数(nm/°C)
        0.03
      • 尺寸 (L×W×H)(mm)
        77×38.5×10.95
      • 重量(g)
        ≈92
    • 880-65W

      • 输出功率(W)
        65
      • 中心波长(nm)
        878.6
      • 半波全宽(nm)
        0.5
      • 95%出光NA(NA)
        0.2
      • 防返波段(nm)
        1040~1200
      • 电光转换效率(%)
        50
      • 阈值电流(A)
        1.8
      • 工作电流(A)
        12
      • 工作电压(V)
        14.5
      • 纤芯直径(μm)
        400
      • 包层直径(μm)
        440
      • 工作温度(°C)
        15~40
      • 存储温度(°C)
        -20~85
      • 温漂系数(nm/°C)
        0.03
      • 尺寸 (L×W×H)(mm)
        119.5×48×17
      • 重量(g)
        ≈310
    • 880-120W

      • 输出功率(W)
        120
      • 中心波长(nm)
        878.6
      • 半波全宽(nm)
        0.5
      • 95%出光NA(NA)
        0.2
      • 防返波段(nm)
        1040~1200
      • 电光转换效率(%)
        50
      • 阈值电流(A)
        1.8
      • 工作电流(A)
        12
      • 工作电压(V)
        21.5
      • 纤芯直径(μm)
        400
      • 包层直径(μm)
        440
      • 工作温度(°C)
        15~40
      • 存储温度(°C)
        -20~85
      • 温漂系数(nm/°C)
        0.03
      • 尺寸 (L×W×H)(mm)
        163.5×48.5×20.65
      • 重量(g)
        ≈638
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