30W/50W/200W半导体激光器

30W/50W/200W 主要用于光伏电池检查，检测是一种基于光学激发和高灵敏相机成像的非接触式检测方法，广泛应用于硅片、太阳能电池片以及其他半导体材料的质量检测。

30/50/200W

功率可选范围
808±5/915±10nm

中心波长
10nm

半波全宽

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JPT-30W
JPT-50W
JPT-200W

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非接触式检测

PL检测采用非接触式的方法，对硅片不造成任何物理损伤或污染，确保样品在检测过程中保持完好
高灵敏度

PL检测能够发现微米级别甚至纳米级别的缺陷和杂质，其灵敏度远高于传统方法
快速高效

PL检测可以在短时间内处理大量样品，大幅提高生产效率和产品质量控制的效率

产品参数

系列型号

JPT-30W

vs
JPT-50W

vs
JPT-200W

vs

输出功率（W）
中心波长（nm）
中心波长偏差
典型工作距离（mm）
可检硅片尺寸（mm）
配电需求（V）
IO接口（V）
平均功耗（W）
出光控制方式
功率调节方式
工作温湿度（℃）
尺寸 (L×W×H)（mm）
重量（kg）
适用工艺
冷却方式

JPT-30W
- 输出功率（W）
  
  30
- 中心波长（nm）
  
  808
- 中心波长偏差
  
  ±5
- 典型工作距离（mm）
  
  230~260
- 可检硅片尺寸（mm）
  
  ≤230
- 配电需求（V）
  
  220
- IO接口（V）
  
  白 0~24V+/黑 0~0.5V-
- 平均功耗（W）
  
  100
- 出光控制方式
  
  GUI/IO接口
- 功率调节方式
  
  GUI
- 工作温湿度（℃）
  
  20~30；＜80%
- 尺寸 (L×W×H)（mm）
  
  205×111×123
- 重量（kg）
  
  ≈4
- 适用工艺
  
  硅片镀膜后工艺
- 冷却方式
  
  风冷
JPT-50W
- 输出功率（W）
  
  50
- 中心波长（nm）
  
  808
- 中心波长偏差
  
  ±5
- 典型工作距离（mm）
  
  230~260
- 可检硅片尺寸（mm）
  
  ≤230
- 配电需求（V）
  
  220
- IO接口（V）
  
  白 0~24V+/黑 0~0.5V-
- 平均功耗（W）
  
  130
- 出光控制方式
  
  GUI/IO接口
- 功率调节方式
  
  GUI
- 工作温湿度（℃）
  
  20~30；＜80%
- 尺寸 (L×W×H)（mm）
  
  232×140×122
- 重量（kg）
  
  ≈5
- 适用工艺
  
  硅片扩散后工艺
- 冷却方式
  
  风冷
JPT-200W
- 输出功率（W）
  
  200
- 中心波长（nm）
  
  915
- 中心波长偏差
  
  ±10
- 典型工作距离（mm）
  
  230~260
- 可检硅片尺寸（mm）
  
  ≤230
- 配电需求（V）
  
  220
- IO接口（V）
  
  白 0~24V+/黑 0~0.5V-
- 平均功耗（W）
  
  560
- 出光控制方式
  
  GUI/IO接口
- 功率调节方式
  
  GUI
- 工作温湿度（℃）
  
  20~30；＜80%
- 尺寸 (L×W×H)（mm）
  
  450×235×70
- 重量（kg）
  
  ≈10
- 适用工艺
  
  硅原片以后工艺
- 冷却方式
  
  水冷

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